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        硅碳棒使用說明

        更新時間:2018-05-26      瀏覽次數:6038

        硅碳棒使用說明

         隨著工業發展的需求,硅碳棒的使用較為廣泛,由于硅碳棒使用溫度高,具有耐高溫、抗氧化、耐腐蝕、升溫快、壽命長、高溫變形小、安裝維修方便等特點,且有良好的化學穩定性。在使用時硅碳棒使用須知有一下幾點:

         1、硅碳棒使用前上應先檢查右端部所標高溫電阻值。如字跡不清,須重新測試。方法是將硅碳棒通電加熱升溫到1000-1100℃,記下該溫度下的電壓,電流,以歐母定律R=V/I求出電阻值。

         2、硅碳棒是在高溫下使用的,所以電爐所用硅碳棒的配阻都是以上述方法測得電阻值為依據,用萬用表測得的硅碳棒常溫電阻不能作為配阻依據,因為硅碳棒的高溫和常溫電阻之問沒有確定的關聯關系。

         3硅碳棒使用時,單支直接接入電源的情況很少,一般是多支組合后接入電源,這稱為配阻。電阻值允差應<0.2Ω

         4硅碳棒在使用過程中,會因緩慢氧化而使電阻值增大,這種現象叫做老化現象,棒體老化后會成爐溫降低,以致達不到升溫要求,這時可提高電壓,當電壓調整到大值仍不能滿足升溫要求時,可采用改變接線的方法來繼續提高電壓。因此,一般來講電爐都應配有調壓設備,指示儀表和溫度控制裝置。

         5、硅碳棒安裝時,棒在裝棒孔內要有較大自由活動余地,U型硅碳棒的安裝孔一般為元件冷端部直徑的1.5倍,且兩孔同心,孔與孔之間距離不小于元件直徑的3倍。元件端頭之間接線應以軟線鏈接,元件與壁爐,被燒物的距離不小于元件直徑的2倍。否則,以免,爐子在熱變形過程造成斷棒。

         6、送電時,電壓應逐步加大,一般開始時電壓為額定電壓的一半為宜,防止升溫過快,導致斷棒。切忌超負荷運行。

         7、在使用過程中,硅碳棒盡可能并聯,如果硅碳棒阻值不同,串聯時電阻高的硅碳棒負荷集中,導致某一個硅碳棒電阻快速增加,壽命變短。因故斷棒或因老化需補裝新捧時,一定耍注意配阻,以達到功率平衡。當棒整體老化時,是全部配阻換新棒,舊棒可待將來補換時再用。

         8在使用過程中應遵守電爐升溫規范緩慢升溫。嚴格控制棒體表面負荷。切忌超負荷運行。下表是在相應爐溫下允許的碳棒表面負荷(也稱表面負荷密度)參數。

        硅碳棒發熱部表面溫度

        爐膛溫度(℃)

        許大表面負荷(w/cm²)

        1450

        1000

        31

        1450

        1100

        24

        1450

        1200

        21

        1450

        1250

        18

        1450

        1300

        14

        1450

        1350

        10

        1450

        1400

        6

         9、新爐或從未使用的電爐(),在使用前必須先烘爐,烘爐時用舊捧或其他熱源,切勿用新棒烘爐。被加熱工件不能含有過高的水分,應預先干燥,以免影響棒的壽命。如果新窯或長時間沒使用的窯爐用要用舊棒進行烘窯,切忌用新棒烘窯。

         10、硅碳棒應存放于干燥處,以防噴鋁部位受潮變黑。如果噴鋁變黑可用砂紙清除,再用夾子夾緊。

         11、硅碳棒系陶瓷產品,性脆,在運愉、開箱、安裝更換時,要小心輕拿、輕放,以防打碎。

         12選用碳化硅電熱元件,必須保證元件的發熱部長度不大于爐膛的寬度(U型硅碳棒發熱長度不大于爐膛高度)。

         13連續使用,連續使用可以提高棒的壽命。

         14、在氫氣中使用,棒體會變脆縮短壽命。硅碳棒在不同氣氛下的使用溫度和表面負荷,元件的使用溫度因環境氣氛而定。

        氣氛

        爐溫(℃)

        表面負荷

        W/cm2

        對元件的影響

        解決辦法

        1290

        3.8

        SiC作用生成甲烷減少SiO2保護膜

        露點激活

        CO?

        1450

        3.1

        腐蝕碳化硅

        用石英管保護

        18%CO

        1500

        4.0

        無影響

         

        20%CO

        130

        3.8

        吸附碳粒影響SiO2保護膜

         

        鹵素

        704

        3.8

        腐蝕碳化硅減少SiO2保護膜

        用石英管保護

        碳氫化合物

        1310

        3.1

        吸附碳粒致熱污染,分解的碳沉積,易造成電氣故障

        送進充分的空氣

        1290

        3.1

        SiC作用反應生成甲烷,減少SiC2保護膜

        露點激活

        甲烷

        1370

        3.1

        吸附碳粒致熱污染

         

        N

        1370

        3.1

        SiC反應形成氮化硅絕緣層

         

        Na

        1310

        3.8

        侵蝕碳化硅

        用石英管保護

        SO2

        1310

        3.8

        侵蝕碳化硅

        用石英管保護

        真空

        1204

        3.8

          

        1310

        3.8

        碳化硅被氧化

         

        水(不同含量)

        1090-1370

        3.1-3.6

        SiC作用生成硅的水化物

         

         15硅碳棒與堿金屬、堿、硅酸鹽、硼化物等接觸會產生腐蝕,所以要避免他們與棒體接觸。
         16接線應與棒體冷端的鋁頭緊密接觸。

         17、使用過程中,如發現斷裂或白炙現象,應及時更新換新棒,以免影響其他棒的使用壽命。

        • 企業名稱:

          鄭州安晟科學儀器有限公司

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